«Данный проект является пионерским для новосибирского завода «Экран-оптические системы», для Новосибирской области и для Российской Федерации. <…> Мы изучили и внешний рынок, у нас уже составлены протоколы намерений с Индией, Пакистаном. Вьетнамом, Китаем, где есть большой интерес к этой технике», - отметил Гугучкин.
Работать над созданием полупроводниковых гетероструктур (структур, изготовленных из двух или более различных полупроводниковых веществ - прим. ТАСС) будут завод «Экран-оптические системы», Институт физики полупроводников СО РАН и РАТМ Холдинг. Продукция, которая будет выпускаться на основе пластин арсенида галлия и нитрида галлия, сейчас активно используется в приборах квантовой электроники, в СВЧ-технике, в телефонах, в технике для систем связи и светотехнике. По словам разработчиков, общие вложения в производство к 2025 году составят 2,8 млрд рублей.
«Общий объем инвестиций в проект - 2 млрд 814 млн рублей. <…> Мы планируем получить заемных средств от региональной поддержки 70 млн рублей, а возвратить 56 млн рублей. Поддержку мы просим на возмещение части процентной ставки по кредиту и возмещение части затрат на приобретение нового технологического оборудования», - сказал представитель завода.
Совет по инвестициям проект одобрил и рекомендовал его доработать для дальнейшего рассмотрения. Ранее сообщалось, что новосибирское предприятие «Экран-оптические системы» инвестирует в новый проект 350 млн рублей, чтобы запустить промышленное производство пластин GaAs (арсенид галлия - полупроводник, используемый в различных приборах - прим. ТАСС), используемых при изготовлении мобильных телефонов и телекоммуникационных систем.
Источник